IMEC mapea CFET monolítico en el Simposio VLSI ...

El documento T1-3 es "Transistores de efecto de campo complementarios (CFET) basados ​​en nanohojas con paso de puerta de 48 nm y aislamiento dieléctrico medio para permitir la formación de espaciadores internos CFET y el patrón de múltiples Vt". El paso de puerta de 48 nm es importante porque se describe como " relevante para la industria".

IMEC es la principal fuente de ideas para CMOS avanzados. La hoja de ruta generalmente aceptada es que el FET o CFET complementario, que apila nanoláminas que conectan verticalmente los transistores NMOS y PMOS en una configuración CMOS, viene después de los transistores de nanoláminas gate-all-around (GAA), seguidos por los llamados Forksheet (ver Stacked CMOS podría superar las limitaciones de Forksheet, dice IMEC).

El CFET y se ha destinado para una posible inserción en un nodo nominal de 5 angstrom (consulte la hoja de ruta de semiconductores de IMEC que muestra el final de la escala de paso de metal). Sin embargo, dadas algunas de las limitaciones mencionadas anteriormente del transistor Forksheet, es posible que CFET llegue antes. Esto también podría venir junto con innovaciones tales como materiales monocapa 2D para el canal del transistor, como el disulfuro de tungsteno o el bisulfuro de molibdeno.

El próximo documento analiza la demostración exitosa de las regiones de fuente/drenaje y los contactos formados para los dispositivos inferiores o superiores. Estos CFET monolíticos tienen una oscilación por debajo del umbral de 70 mV/década. para los NFET y 75 mV/década para los PFET. El aislamiento dieléctrico medio (MDI) formado por el procesamiento de reemplazo de SiGe se presenta como un habilitador para la formación de CFET monolíticos y patrones de VT múltiples.

Imágenes de sección transversal para (a) pFET inferior y (b) nFET superior. Fuente: IMEC.

El monolítico también es relevante, ya que representa un medio alternativo de fabricación de CFET que fabrica monocapa n- y pFET y luego utiliza la unión de oblea a oblea. La producción monolítica proporciona rendimiento a expensas de la complejidad de fabricación. La fabricación secuencial de CFET presenta una forma diferente de complejidad de fabricación, pero podría presentar diferentes palancas a los fabricantes para variar la movilidad de electrones y huecos en los transistores tipo n y tipo p.

www.vlsisimposio.org

www.imec-int.com

La hoja de ruta de semiconductores IMEC muestra el final de la escala de paso de metal

El CMOS apilado podría superar las limitaciones de Forksheet, dice IMEC

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